Le Laboratoire de Simulation et de Modélisation a pour mission d’accompagner le développement des technologies du Leti avec un cœur d’activités centré sur les dispositifs de type transistor, cellule mémoire et interconnexion. En amont de la phase de support aux développements technologiques, le laboratoire est acteur de l’optimisation des architectures de dispositifs et des procédés, et participe à l’évaluation prédictive des technologies développées au sein du département des composants silicium. Il est donc présent à la croisée entre les activités d’intégration technologiques, la caractérisation physique et électrique, la mise en place de PDK (Process Design Kit) et la conception de circuits intégrés. De par ses missions, notre laboratoire met en œuvre des expertises en simulation et en modélisation compacte.

Lors du développement d’une technologie de type CMOS avancé, l’optimisation des procédés est primordiale. Ces étapes de fabrication telles que les dépôts, implantations, gravures sont complexes et nombreuses. La précision nécessaire pour l’optimisation de chacune d’elles est importante et demande un fort accompagnement de la simulation.

Dans ce cadre, vous aurez pour principal objectif d’accompagner les développements des technologies avancées à base de transistors à effet de champs sur substrat SOI à film mince (FDSOI). Les applications visées sont principalement focalisées sur l’automobile, les processeurs Edge-AI, la connectivité RF, l'internet des objets, la cybersécurité, etc.

Ainsi, vous mettrez en place un ensemble de méthodologies permettant de simuler, d’étudier et d’anticiper les différents procédés afin de réaliser ces futurs transistors. Votre activité se positionne en phase préliminaire de démonstrateurs technologiques.

Ce poste requiert de nombreuses interactions avec différentes équipes, en charge de l’intégration technologique, de la caractérisation électrique et de la simulation numérique.