L'objectif de ces travaux est de mettre au point des méthodes de détermination de la composition chimique de couches nanométriques à base de nitrure de gallium GaN en utilisant la technique d'analyse SIMS. Ces matériaux trouvent des débouchés industriels grandissants dans des applications de haute technologie comme l'électronique de puissance, l'éclairage LED...

Le but est de mettre au point des protocoles robustes et sensibles de quantification de la composition chimique et du dopage de multicouches constituées à partir de GaN à l'aide du SIMS de dernière génération spécialement dédié à la caractérisation de couches très minces, disponible à la PlateForme de NanoCaractérisation. La microscopie à Force Atomique (AFM) sera aussi sollicité pour caractériser des états de surfaces des couches avant et après analyse SIMS. Des échantillons de différentes composition/dopage seront caractérisés. Vous serez formé aux différentes techniques sous la tutelles des encadrants. Les résultats seront analysés avec les développeurs des matériaux pour valider leur développement. Ces protocoles seront alors disponibles pour comprendre et résoudre les enjeux technologiques autour de la mise en œuvre de ces matériaux.

Pour postuler à ce poste, merci de contacter Monsieur VEILLEROT à l'adresse suivante : class="Location">