Le stage aura comme but de faire les premiers essais de croissance de nano-piliers sur des masques déjà fabriqués sur pseudo-substrat GaN. Pour arriver à faire ces croissances, vous devrez d’abord étudier la sélectivité de croissance pour plusieurs alliages de GaN avec plusieurs conditions de croissance. Ensuite vous devrez démarrer la croissance de nano-piliers et leur coalescence. L’étude de sélectivité aura principalement besoin de mesures MEB comme caractérisation, mais suite aux croissances de nano-fils, vous ferez des caractérisations complémentaires. Ces caractérisations seront principalement l’XRD pour quantifier la densité de défauts, l’AFM pour regarder la morphologie de surface et éventuellement la cathodo-luminescence pour quantifier la densité de dislocations.

Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mr CHARLE Matthew à l'adresse suivante : matthew.charles@cea.fr