modélisation compacte de l'effet de dose ionisante sur le comportement des transistors CMOS H/F (Sciences pour l'ingénieur)

Description de l'offre

Domaine : Sciences pour l'ingénieur

Contrat : Stage

Description du poste :

L’objectif de ce stage est d’étudier la sensibilité des dispositifs aux effets de dose ionisante. Une précédente thèse a permis la mise en place d’une première modélisation compacte des effets de piégeage aux interfaces Silicium/oxyde et en volume d’oxyde grâce à une série de mesures réalisées au CEA-DAM à partir de dispositifs du CEA-LETI. Il faut à présent améliorer ce modèle, et aller plus loin quant à son inclusion dans les outils SPICE. Pour cela, les activités de stage suivantes devront être menées par le candidat :
Bibliographie exhaustive de l’effet de dose ionisante sur la modification des caractéristiques électriques des dispositifs, orientée pour les technologies FDSOI.
Le développement d’une méthodologie de simulation TCAD (2D et 3D) dédiée à la compréhension physique fine de l'impact des pièges en volume et en interface d’oxyde ou de tout autre diélectrique induisant des modifications de comportement électrique.
Les résultats de simulation supporteront le développement d’un premier « add on » au modèle compact, ou du moins à la mise en place d’une méthode de prise en compte de l’effet de dose ionisante dans un outil SPICE.
Ce travail s’effectuera en forte collaboration avec le CEA-DAM.


Ingénieur ou/et Master 2 recherche dans le domaine de la microélectronique.

Ville : Grenoble

Langue / Niveau :

Anglais : Intermédiaire