Integration of the Mott insulator (V1-xCrx)2O3 for non-volatile Mott memory application H/F
Stage Grenoble (Isère) Conception / Génie civil / Génie industriel
Description de l'offre
Détail de l'offre
Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2018-7433Description de l'unité
A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nanotechnologies, technologies de l'information et de la santé.
Une des voies pour améliorer les performances des dispositifs électroniques est l'introduction de nouveaux matériaux et de nouveaux concepts physiques. Le CEA-LETI et l'IMN (Institut des Matériaux de Nantes) développent depuis peu une nouvelle classe de mémoires résistives non-volatiles : les mémoires de Mott. En effet, les chercheurs de l'IMN ont découvert la possibilité de générer des "transitions résistives" induites par champ électrique dans les isolants de Mott, tels que GaV4S8 et (V1-xCrx)2O3. Les études révèlent que cette commutation résistive est basée sur un mécanisme électronique confiné à l'échelle nanométrique. Les mémoires de Mott pourraient alors présenter un avantage considérable par rapport aux mémoires résistives classiques à base d'oxydes métalliques (OxRRAM) ou de matériaux à changement de phase (PCRAM). Les résultats électriques de dispositifs mémoires de Mott très simples (TiN/(V1-xCrx)2O3/TiN) intégrés montrent de très bonnes performances en termes de vitesse de programmation, de consommation et de fiabilité. Le stage proposé s'inscrit donc dans le cadre d'un projet ambitieux entre le CEA-LETI et l'IMN visant à confirmer le fort potentiel des isolants de Mott pour les applications mémoires mais également pour les applications Intelligence Artificielle.
Délai de traitement
2 mois
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Integration of the Mott insulator (V1-xCrx)2O3 for non-volatile Mott memory application H/F
Sujet de stage
Les mémoires de Mott
Durée du contrat (en mois)
6
Description de l'offre
L’étudiant(e) participera aux efforts d’optimisation des mémoires de Mott à base d’oxyde de vanadium en étudiant les propriétés du matériau jusqu’à la caractérisation électrique approfondie des dispositifs mémoires intégrés en technologie CMOS.
Il(elle) contribuera aux caractérisations physicochimiques (XRR, XRD, XPS, MEB, TEM, ..), électriques (résistivité, transport) sur des films minces de V2O3 dopé Cr recuits et encapsulés. Différentes techniques de dépôt seront plus particulièrement étudiées. Une partie de ces études pourra être réalisée sur le site de l’IMN à Nantes.
Il(elle) participera également à la caractérisation électrique des dispositifs mémoires Mott intégrés. Il s’agira d’optimiser les paramètres de programmation (pulses, amplitude, temps, fréquence, ..) afin d’optimiser les performances de la mémoire (fenêtre, endurance, rétention) et d’identifier les meilleurs paramètres tant au niveau du matériau (épaisseur, concentration en Cr, ..) que de l’architecture de la cellule mémoire. Les résultats seront aussi interprétés en s’appuyant sur les mécanismes physiques de commutation des isolants de Mott. Ces études pourront être étendues aux matrices de quelques kbits à 1 Mbit.
MERCI DE TRANSMETTRE DIRECTEMENT VOTRE CANDIDATURE A
Profil recherché
Profil du candidat
PFE école ingénieur ou M2