Ingénieur en croissance de couches minces de matériaux semi-conducteurs composés II-VI H/F
Stage Grenoble (Isère) Chimie / Biologie / Agronomie
Description de l'offre
Détail de l'offre
Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2020-13599Description de la Direction
Le CEA / LETI (Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information) à Grenoble est un des centres de recherche technologique leaders mondiaux en matière de NTIC (Nouvelles Technologies de l'Information et de la Communication). Sa mission première est de développer des solutions innovantes dans ses différents domaines de compétence, et de les transférer à l'industrie dans le cadre de partenariats industriels, afin de répondre aux besoins de marchés à forte croissance.
Description de l'unité
Au sein du Département des Plateformes Technologiques en collaboration étroite avec le département Optique et PhoTonique, le laboratoire des Matériaux pour la Photonique dans le cadre de son activité de développement des technologies et de fabrication de détecteurs infrarouge refroidis, réalise des substrats semi-conducteurs et des épitaxies de couches minces. Les matériaux élaborés par le laboratoire sont typiquement des matériaux composés semi-conducteurs II-VI, alliages de type CdTe, CdHgTe ou CdZnTe, entre autres.
Description du poste
Domaine
Composants et équipements électroniques
Contrat
CDD
Intitulé de l'offre
Ingénieur en croissance de couches minces de matériaux semi-conducteurs composés II-VI H/F
Statut du poste
Cadre
Durée du contrat (en mois)
18 mois (renouvelable)
Description de l'offre
Nous recherchons un ingénieur dans le domaine des techniques de croissance et de caractérisation des matériaux semi-conducteurs II-VI, en particulier par des méthodes d’Epitaxie en Phase liquide (EPL) de couches minces d'alliage CdHgTe et d’autres composés.
Ce travail s’effectuera en collaboration étroite avec notre partenaire industriel LYNRED dans le cadre de projets : bilatéraux (Laboratoire commun DEFIR), Nationaux (DGA, CNES) et Européens (ESA, CE H2020).
Vous serez en charge des aspects développements des procédés de croissance de structures innovantes sur les équipements en relation étroite avec les membres de l'équipe EPL d'une part, mais aussi avec les équipes en charge de l’intégration technologique de ces matériaux et les équipes de caractérisations physico-chimiques et électro-optiques. Vous travaillerez au quotidien en collaboration avec plusieurs techniciens et ingénieurs.
Profil recherché
Profil du candidat
Ingénieur ou docteur en physique des matériaux et/ou en chimie des matériaux connaissant les semi-conducteurs, vous avez une expérience significative dans le domaine de l'élaboration de matériaux en couches minces, idéalement pour des matériaux pour l'optique. Une expérience sur les matériaux II-VI sera un plus.
Des connaissances en thermodynamique, ou en simulation numérique des procédés pour l'élaboration des matériaux, notamment dans le domaine des semi-conducteurs, seront fortement appréciées. Une expérience en méthodes de caractérisations des couches minces (par des techniques de rayons X et/ou électro-optique notamment) sera également évaluée comme un point essentiel.
Vous êtes persévérant, rigoureux, méticuleux, méthodique, avec un bon sens de l'organisation et de la rédaction, et vous appréciez travailler en équipe.