Ingénieur composant GaN H/F
Stage Grenoble (Isère) Chimie / Biologie / Agronomie
Description de l'offre
Détail de l'offre
Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2020-13624Description de la Direction
Le CEA / LETI (Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information) à Grenoble est un des centres de recherche technologique leaders mondiaux en matière de NTIC (Nouvelles Technologies de l'Information et de la Communication). Sa mission première est de développer des solutions innovantes dans ses différents domaines de compétence, et de les transférer à l'industrie dans le cadre de partenariats industriels afin de répondre aux besoins de marché à forte croissance.
Description de l'unité
Au sein du Département PlateFormes Technologiques (DPFT), le Laboratoire d'Intégration Technologique pour la Photonique (LITP) mène des activités dans le domaine de la technologie des composants optroniques et récemment des composants de puissance. Ce laboratoire dispose de moyens technologiques spécifiques en salle blanche nécessaires au traitement d'échantillons jusqu'à des substrats de 150mm de diamètre dans le cadre de développements de filières de procédés innovants sur matériaux II-VI et III-V et III-Nitrure, pour des dispositifs de très hautes performances dans les domaines de la détection infrarouge, de l'éclairage, des écrans de visualisation, de la photonique intégrée sur Si et de la conversion d'énergie électrique.
Description du poste
Domaine
Technologies micro et nano
Contrat
CDD
Intitulé de l'offre
Ingénieur composant GaN H/F
Statut du poste
Cadre
Durée du contrat (en mois)
18 mois (renouvelable)
Description de l'offre
Dans le cadre de ses activités dans le domaine de la fabrication de dispositifs à base de semi-conducteurs composés (II-VI, III-V et III-Nitrure), le laboratoire d'Intégration Technologique pour la Photonique (LITP) du Département Plateformes Technologiques (DPFT) du LETI doit développer et renforcer sa filière « composant de puissance sur GaN » dans le cadre du projet GaNEXT VERTIGAN en collaboration avec le laboratoire du CNRS-CHREA et la société LUMILOG, filiale de Saint Gobain.
Vous devrez en premier lieu définir le design et le process flow (comportant l'ensemble des étapes de fabrication) des composants de puissance GaN en collaboration avec les ingénieurs expérimentés de la thématique.
A l'issu de cette première étape, vous aurez à développer certaines briques élémentaires, améliorer les procédés critiques et valider l'intégration globale.
Vous devrez pour cela réaliser toutes les étapes de fabrication : photolithographie, dépôts de couches minces (diélectriques et métaux), gravures sèches et humides, recuits, CMP, ainsi que les caractérisations de premier niveau (MEB, profilométrie, ellipsométrie...).
Vous synthétiserez ses travaux et serez amené à les présenter à l'ensemble des partenaires du projet. Une attention particulière sera apportée au caractère innovant de ces développements et à la rédaction de brevets.
Profil recherché
Profil du candidat
De formation ingénieur ou docteur en physique ou chimie des matériaux ou équivalent, vous aurez une première expérience ou des connaissances sur les procédés de la microélectronique ainsi que sur la physique des semi-conducteurs en particulier pour les composants de puissance sur matériau grand gap de type GaN.
Vous aurez aussi de préférence une première expérience en salle blanche, dans la fabrication de composants de type microélectronique.