Les progrès faits depuis 2010 dans le domaine de la croissance épitaxiale d’empilements GeSn/SiGeSn ouvrent des nouvelles possibilités d’utilisation du GeSn. Le GeSn est un semiconducteur à faible énergie de bande interdite pouvant être directe dans certaines conditions. Il peut être utilisé comme matériau actif dans des lasers ou des photo-détecteurs fonctionnant dans le moyen infrarouge, le canal de conduction de transistors PMOS, etc.

Le CEA LETI s’est équipé dès 2015 des capacités de déposer de tels empilements sur substrats de 200mm de diamètre. Il est pionnier dans plusieurs de ces domaines applicatifs. Dans le but de permettre le dopage des couches GeSn, nous voulons évaluer l’impact de recuits thermiques innovants sur l’activation de dopants implantés ou déposés.

Le stage se déroulera de la manière suivante :

-Après une recherche bibliographique approfondie sur le sujet, vous serez formé à l’utilisation d’équipements de caractérisation structurales de salle blanche comme la diffraction de rayons X, la microscopie à force atomique, la microscopie électronique à balayage, la diffusion de lumière etc.

-Par la suite, vous évaluerez l’impact des différents paramètres procédés du recuit laser nanoseconde sur les propriétés structurales d’empilements GeSn/SiGeSn. Les connaissances ainsi obtenues seront précieuses pour de futures intégrations dans des dispositifs innovants.

-Une prolongation en thèse est envisagée afin d’approfondir/d’étendre l’étude.

Pour postuler à cette offre, merci de contacter M. ACOSTA ALBA à l'adresse suivante : class="Location">