Les objectifs de performances demandées aux matrices de détection Infra-Rouge dans le cadre de projets spatiaux sont élevés. Cette exigence permet de disposer de composants très sensibles qui permettent aux Astrophysiciens de recueillir des données précises.

La qualité des matériaux semi-conducteurs II-VI petit gap (type HgCdTe) qui sont impliqués dans la structure des photodiodes doit être au meilleur niveau pour répondre à ces enjeux. La qualité des matériaux de passivation des photodiodes est elle aussi sujet à des améliorations.

Nous proposons donc d'étudier et de réaliser avec une méthode d'élaboration alternative la croissance et la caractérisation de structures à base de matériaux II-VI.

Le travail portera après une étude bibliographique, sur la compréhension et la maitrise des diagrammes de phase des composés II-VI (CdTe; ZnTe, HgTe, etc..). Ensuite des croissances de couches monocristallines par procédé EPL (Epitaxie en Phase Liquide) seront réalisés avec l'équipe LETI en charge de ses activités. Un ensemble de caractérisations, physiques par Rayons X, électro-optiques par transmission infra-rouge, électriques par mesures par effet Hall, et par faisceaux d'ions (SIMS) sera réalisé avec les spécialistes pour pouvoir évaluer les structures réalisées. L'analyse de ces résultats permettra de modifier les méthodes d'élaboration.