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days ago CEA

CDD : Ingénieur Test et Caractérisation électrique dispositifs GaN sur silicium H/F (Technologies micro et nano)

  • CDD
  • Grenoble (Isère)
  • Energy / Materials / Mechanics

Job description

Domaine : Technologies micro et nano

Contrat : CDD

Description du poste :






Le travail se focalisera principalement sur le test, la caractérisation et la fiabilité de composants GaN sur silicium (HEMTs et Diodes) ainsi que sur la mise en place et le développement de nouvelles méthodologies de tests et d'instrumentation. Les tests seront effectués majoritairement sur wafer voir sur composants packagés. La connaissance du comportement dynamique des composants GaN pour la puissance étant primordial, l'ingénieur sera en charge de :
• La caractérisation et le test de composants de puissance GaN sur silicium au travers de tests dédiés
• L'évolution des bancs de tests et de logiciels de pilotages des instruments associés (type Agilent et Keithley)
• Le développement de nouvelles caractérisations sous l'égide du responsable LCTE de la thématique puissance GaN
• L'extraction des paramètres électriques pertinents et le support sur les outils de traitement de données et base de données
• Le reporting régulier aux équipes projets afin d'interpréter les résultats obtenus et de proposer des leviers d'amélioration des composants
• S'assurer des stabilités des mesures au cours du temps et d'un suivi des bancs de test
• Proposer des analyses physiques sur les phénomènes observés au regard des process technologiques mis en jeu

Le projet sera réalisé en collaboration étroite avec un partenaire industriel.

Ville : Grenoble