Offers “CEA”

Expires soon CEA

CDD-ingénieur chercheur caractérisation matériau et semi-conducteurs

  • Stage
  • Gan (Pyrénées-Atlantiques)
  • Energy / Materials / Mechanics

Job description

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.

Référence

2019-10124

Description de la Direction

Le CEA LETI (Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information) à Grenoble est un des centres de recherche technologique leaders mondiaux en matière de NTIC (Nouvelles Technologies de l'Information et de la Communication).
Sa mission première est de développer des solutions innovantes dans ses différents domaines de compétences et de les transférer à l'industrie dans le cadre de partenariats industriels, afin de répondre aux besoins de marchés à forte croissance.

Description de l'unité

Au sein du Département Optique et Photonique, l'activité µdisplay du Laboratoire des composants Emissifs conçoit et réalise des micro écrans à base µLED GaN avec des partenaires Industriels.

Description du poste

Domaine

Optique et optronique

Contrat

CDD

Intitulé de l'offre

CDD-ingénieur chercheur caractérisation matériau et semi-conducteurs

Statut du poste

Cadre

Durée du contrat (en mois)

12

Description de l'offre

La réalisation de contact p ohmique dans les matériaux nitrures est un enjeu majeur pour la fabrication de LEDs efficaces. Une des limitations provient d’une incorporation limitée en Mg dans la couche p++ supérieure ce qui complique la réalisation de bon contacts.

Le but du projet est d’utiliser l’implantation ionique à forte dose pour essayer d’augmenter le dopage p de la couche supérieure de p-GaN, le but étant de dépasser ce qui peut être obtenu en croissance par épitaxie. Des expériences préliminaires ont été faites dans ce sens et demandent à être confirmées et approfondies.

L’investigation du potentiel de l’implantation ionique pour l’amélioration des contacts sera précieuse à la réalisation de LEDs. En effet, le choix du métal ne se fait pas uniquement sur ses propriétés électriques mais aussi optiques. Une amélioration notable du dopage p relâcherait ainsi les contraintes qui pèsent sur le choix du métal pour atteindre une faible résistance de contact. (un sur-dopage p de la couche supérieure de GaN permettrait une injection tunnel plus efficace, même avec un métal peu enclin à former un bon contact p)

Ideal candidate profile

Profil du candidat

Le candidat qui suivra cette étude devra avoir une bonne connaissance des matériaux semi-conducteurs pour l'optoélectronique (de préférence InGaN, GaN) et des compétences en caractérisation de ces matériaux. En effet, il faudra pouvoir caractériser les concentrations en éléments, leur éventuel agrégation (typique du magnésium dans GaN), la cristallinité du matériau etc. Une première tâche consistera à optimiser les paramètres d'implantation (doses, énergies, concentration et composition des éléments implantés: Mg, In, Al…). Ces taches se feront par le biais de caractérisations matériau (TEM, SIMS, RHEED, RX…) et de modélisation des mécanismes (simulation Monte Carlo). Une connaissance de l'implantation serait aussi souhaitable. Finalement des caractérisations électriques des couches implantées et des contacts devront être faites.