STAGE : Dynamique par transfert de spin dans nanos-oscillateurs pour détection signaux rf (H/F)

Description de l'offre

QUI SOMMES-NOUS ?

Rejoignez Thales, leader mondial des technologies de sûreté et de sécurité pour les marchés de l'Aérospatial, du Transport, de la Défense et de la Sécurité . Fort de 62 000 collaborateurs dans 56 pays , le Groupe bénéficie d'une implantation internationale qui lui permet d'agir au plus près de ses clients, partout dans le monde .

Situé sur le campus de l'École polytechnique, au cœur du pôle scientifique et technologique d'envergure mondiale de Paris-Saclay, le site de Palaiseau est le centre de recherche du Groupe.

Grâce aux nombreux partenariats avec le monde académique et un réseau international d'entreprises innovantes, nos équipes de recherche développent des technologies de rupture au service des unités opérationnelles du Groupe.

Situé sur le campus de l'École polytechnique, au cœur du pôle scientifique et technologique d'envergure mondiale de Paris-Saclay, le site de Palaiseau est le centre de recherche du Groupe.

L'Unité Mixte de Recherche CNRS, Thales, Université Paris-Sud recherche un/une stagiaire «Dynamique par transfert de spin dans des nanos-oscillateurs pour la détection de signaux rf - Palaiseau (H/F) » basé(e) à Palaiseau

QUI ETES-VOUS ?

Vous préparez un Master 2, vous possédez des connaissances indispensables en physique de la matière condensée. Connaissances souhaitables en électronique rf.

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :

Les oscillateurs à transfert de spin sont des dispositifs spintroniques (typiquement des jonctions tunnel magnétiques) dans lesquels le couplage fort entre un courant de spin et une aimantation est utilisé pour générer l'excitation de modes dynamiques magnétiques. Un effort de recherche important a été récemment fourni pour évaluer la possibilité d'utiliser le courant rf émis par un STNO soumis à un courant dc pour développer de nouveaux types de nano-oscillateurs rf. Au cours de ce stage, nous nous concentrons sur un autre aspect du transfert de spin qui permet de générer une tension dc par un effet de rectification (appelé diode) lorsqu'un STNO est soumis à un courant rf dont la fréquence correspond à un des modes de résonance magnétique du système. Nous avons pu récemment mettre en évidence dans des oscillateurs à base de vortex non seulement ces effets de diode de spin mais aussi l'expulsion résonante du cœur de vortex. Ces deux effets sont observés pour une gamme de fréquence liée au mode vortex comprise entre 100 MHz et 1 GHz.

L'objectif du stage sera de mener une étude détaillée de dynamique par transfert de spin due à un signal rf (courant ou champ) pour générer un signal dc permettant une détection à plus haute fréquence. Ces effets seront obtenus soit par couplage du mode vortex avec d'autres modes du système soit par excitation directe de ces modes compris entre 1 et 10 GHz. Ces mesures expérimentales faites sur des oscillateurs uniques seront complétées par des simulations numériques. Ces études s'inscrivent naturellement dans les développements actuellement mise en œuvre pour l'élaboration de capteurs rf intégrés ultrarapides. Dans un deuxième temps, nous nous intéresserons également à la réponse d'un système comprenant deux nano-oscillateurs connectés électriquement lorsqu'ils sont soumis à un signal rf dans le cas où un des oscillateurs est en régime diode de spin et l'autre en régime expulsion de vortex.

En nous rejoignant, vous vous verrez confier les missions suivantes :

Caractériser expérimentalement des composants rf dans le domaine fréquentiel et temporel via des mesures de magneto-transport de jonctions tunnel magnétiques en fonction d'un courant dc/rf. Le candidat s'occupera aussi des simulations micromagnétiques. Les connaissances à acquérir durant le stage : magnétisme, spintronique, magnonique.

La perspective de rejoindre un Groupe innovant vous motive ? Alors rejoignez-nous en postulant à cette offre .

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