Conception d'un environnement de simulation dédié pour télécoms et radars sous logiciel ADS

Description de l'offre

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :III-V Lab, laboratoire de recherche industriel en technologie et composants semi-conducteur III-V, implanté sur le plateau de Saclay en région parisienne dont le capital est détenu par Nokia, Thales et le CEA LETI, propose un stage portant sur l'étude par simulation des composants en technologie GaN réalisés au laboratoire pour des applications télécoms et radars.Le développement de la technologie de transistor à base de nitrure de gallium (GaN) a fortement révolutionné ces dernières années le marché des composants semi-conducteurs III-V et leur déploiement dans les systèmes opérationnels est en cours pour des fréquences <20 GHz. Les propriétés physiques du GaN ont en effet permis à cette technologie de démontrer un accroissement des performances en puissance d'émission dans un rapport 2 à 4 comparé aux technologies concurrentes (AsGa, Si …). III-V lab développe actuellement des transistors en technologie GaN pour des applications au-delà de 30 GHz pour les futurs systèmes de télécommunication (5G, Communalisation par satellites, etc …).DESCRIPTIF DES MISSIONSL'objet de ce stage consistera à analyser par simulation au travers de différents critères, les performances (RF & DC) des transistors réalisés au laboratoire et ce pour des applications télécoms et radars. L'environnement de simulation de CAO sera ADS (Advanced Design System). Pour cela, l'étude s'appuiera sur un modèle non linéaire de transistor réalisé au laboratoire. Dans un premier temps, un environnement dédié à l'évaluation de critères de linéarité tels que l'ACPR, l'EVM …, sera mis en place dans le cadre ce stage. Dans un second temps, l'étude permettra d'analyser l'impact des valeurs des paramètres du modèle sur ces critères de linéarité et de performances, afin de guider les développements des futurs transistors pour ces applications.Ce stage s'effectuera au sein du programme Thales GaN pour des applications hyperfréquences, dans les locaux du laboratoire à Palaiseau. La durée proposée du stage est de 5 mois..La perspective de rejoindre un Groupe innovant vous motive ? Alors rejoignez-nous en postulant à cette offre.

Profil recherché

QUI ETES-VOUS ?Vous êtes en dernière année en Master2 et/ou Ecole d'IngénieurVous possédez les connaissances indispensables :- Connaissance du logiciel ADS de Keysight (Agilent)- Bases de l'électronique RFCompétences souhaitables :
* Bon niveau d'anglais
* Curiosité et goût pour la recherche

Expérience : Projets étudiant chaîne RF/hyperfréquenceLangues : Anglais / FrançaisStage : 5 mois, janvier/février 2019Poursuite en thèse CIFRE est envisageable.}

À propos de Thales

QUI SOMMES-NOUS ?
Rejoignez Thales, leader mondial des technologies de sûreté et de sécurité pour les marchés de l'Aérospatial, du Transport, de la Défense et de la Sécurité. Fort de 65 000 collaborateurs dans 56 pays, le Groupe bénéficie d'une implantation internationale qui lui permet d'agir au plus près de ses clients, partout dans le monde.
Situé sur le campus de l'École polytechnique, au cœur du pôle scientifique et technologique d'envergure mondiale de Paris-Saclay, Thales Research & Technology à Palaiseau est le centre de recherche du Groupe.Grâce aux nombreux partenariats avec le monde académique et un réseau international d'entreprises innovantes, nos équipes de recherche développent des technologies de rupture au service des unités opérationnelles du Groupe.