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Expire bientôt CEA

Stage : Solutions ALD ALD/PEALD pour les diélectriques de grille des transistors HEMT H/F

  • Stage
  • Grenoble (Isère)
  • Développement informatique

Description de l'offre

Détail de l'offre

Informations générales

Entité de rattachement

Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.

Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).

Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.

Référence

2022-23677

Description de l'unité

A Grenoble, au centre des Alpes, le LETI est un institut de recherche appliquée en micro et nano technologies, technologies de l'information et de la santé.
Interface privilégiée du monde industriel et de la recherche académique, il assure chaque année le développement et le transfert de technologies innovantes dans des secteurs variés via des programmes de recherche utilisant nos plateformes technologiques.

Description du poste

Domaine

Matériaux, physique du solide

Contrat

Stage

Intitulé de l'offre

Stage : Solutions ALD ALD/PEALD pour les diélectriques de grille des transistors HEMT H/F

Sujet de stage

Sur le marché de l'électronique de puissance, un des challenges principaux pour le déploiement des technologies à base de GaN est le développement de transistors dits normally-OFF fiables. C'est le cas notamment de l'architecture MOSc-HEMT (MOS channel High Electron Mobility Transistor) que le LETI développe pour un partenaire industriel. Les axes du travail pour l'optimisation de ces transistors concernent l'amélioration de la qualité du diélectrique et le contrôle de l'oxyde d'interface pour réduire l'hystérésis, augmenter la tension seuil et augmenter la mobilité. Dans ce contexte, le LETI s'est doté d'un nouveau équipement ALD (Atomic Layer Deposition) offrant plusieurs capabilités pour la passivation de la surface du GaN et pour le dépôt des couches diélectriques. L'objectif du stage est d'accompagner les développements opérés par le LETI dans la fabrication et l'optimisation de la grille MOS.

Durée du contrat (en mois)

6 max

Description de l'offre

L’outil de dépôt ALD est doté d’un mode «ALD thermique» et d’un mode PEALD «ALD assisté par plasma» permettant un enchainement entre l’étape de préparation in situ de la surface du GaN et l’étape du dépôt de la couche diélectrique. Le travail du stage sera focalisé sur la maitrise de ces deux modes afin d’améliorer et d’optimiser l’interface GaN/diélectrique. Dans une équipe pluridisciplinaire, les missions principales de ce stage seront:

-Développement des procédés de nettoyage plasma, dépôts ALD/PEALD
-Caractérisations intrinsèques (propriétés physico-chimiques, structurales, morphologiques…) des couches diélectriques élaborées par ALD et PEALD
-Caractérisations électriques C-V&I-V des interfaces GaN/diélectriques en utilisant des structures capacitives
-Essais d’intégration et d’implémentation des procédés/couches élaborés sur véhicules de test GaN en 200mm.

Merci d'envoyer vos CV et LM à : messaoud.bedjaoui@cea.fr

Profil recherché

Profil du candidat

Master 2, Matériaux et procédés de dépôt

Faire de chaque avenir une réussite.
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