Dans le contexte de l'internet par satellite et des futures constellations de micro satellites dédiées à cet usage, la communication très haut débit entre ces derniers est un enjeu majeur. Les communications optiques en espace libre apparaissent comme une voie privilégiée. Ces communications réclament notamment des détecteurs très sensibles et permettant d'atteindre des débits très élevés.

Toutefois, le besoin toujours pressant d'augmenter les débits de communication nécessite d'accroitre de façon importante la bande passante du circuit intégré aujourd'hui réalisé en technologie CMOS.

L'utilisation d'une technologie possédant en plus des transistors bipolaires à hétérojonction (SiGe-BiCMOS) permet de bénéficier de transistors aux caractéristiques de vitesse bien plus élevées et ainsi d'atteindre une bande passante de 1GHz.

Le stage aura donc pour but la conception d'un circuit de lecture haute passante en technologie SiGe-BiCMOS.

Après une phase de bibliographie, vous étudierez différentes structures amplificatrices qui pourront tirer profit des transistors SiGe. A partir de l'architecture retenue vous concevrez l'étage amplificateur d'entrée et réaliserez ensuite l'évaluation, par simulation, de ses performances.

Ce stage vous donnera l'opportunité d'acquérir une expertise sur l'ensemble de la conception de circuits intégrés analogiques, de l'étude système jusqu'à la fabrication du prototype. Enfin, vous découvrirez les différentes missions d'un chercheur tout en gardant un environnement de transfert industriel et un cadre applicatif.