Stage-Caractérisation de photodiodes par courant induit sous faisceau électronique H/F
Stage Grenoble (Isère) Energie / Matériaux / Mécanique
Description de l'offre
Détail de l'offre
Informations générales
Entité de rattachement
Le Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA) est un organisme public de recherche.Acteur majeur de la recherche, du développement et de l'innovation, le CEA intervient dans le cadre de ses quatre missions :
. la défense et la sécurité
. l'énergie nucléaire (fission et fusion)
. la recherche technologique pour l'industrie
. la recherche fondamentale (sciences de la matière et sciences de la vie).
Avec ses 16000 salariés -techniciens, ingénieurs, chercheurs, et personnel en soutien à la recherche- le CEA participe à de nombreux projets de collaboration aux côtés de ses partenaires académiques et industriels.
Référence
2018-6849Description de l'unité
Le CEA LETI (Laboratoire d'Electronique et des Technologies de l'Information) à Grenoble est un des centres de recherche technologique leaders mondiaux en matière de NTIC (Nouvelles Technologies de l'Information et de la Communication).
Sa mission première est de développer des solutions innovantes dans ses différents domaines de compétences et de les transférer à l'industrie dans le cadre de partenariats industriels, afin de répondre aux besoins de marchés à forte croissance.
Délai de traitement
2 mois
Description du poste
Domaine
Optique et optronique
Contrat
Stage
Intitulé de l'offre
Stage-Caractérisation de photodiodes par courant induit sous faisceau électronique H/F
Sujet de stage
Caractérisation de photodiodes par courant induit sous faisceau électronique
Durée du contrat (en mois)
4 mois
Description de l'offre
Le Département d'Optique et PhoTonique (DOPT) du CEA-Leti mène des travaux de R&D sur des composants opto-électroniques , tel que des LEDs à haute luminances, des capteurs optiques pour le suivi de la qualité environnementale, ou des imageurs infrarouge. Ces composants, réalisés sur une grande variété de semiconducteur (Si, Ge, AsGa, GaN, InP, CdHgTe), reposent sur l’émission ou l'absorption de photons par une jonction pn. Dans un contexte de concurrence mondiale accrue, l'amélioration de ces technologies requière une maitrise des moyens de fabrications (épitaxie, procédés technologiques, packaging), et une connaissance fine de la physique du dispositif. La technique de mesure du courant induit sous faisceau électronique (EBIC pour Electron Beam Induced Current) allie la résolution spatiale d'un microscope électronique à balayage aux caractéristiques électriques des jonctions pn. Elle permet de déterminer avec précision la position des jonctions, d'observer les défauts électriquement actifs, et de mesurer la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Ces informations sont essentielles pour maintenir nos développements de composants opto-électroniques à l'état de l'art.
Objectif du stage :
Dans ce stage à dominante expérimentale, le stagiaire évoluera en autonomie sur un banc EBIC à température variable (77 à 300K). Il poursuivra les développements instrumentaux de mise en œuvre de mesures multi-voies, et explorera les potentialités des techniques dites de contraste de potentiel et de cartographie de phase. Sur des dispositifs variés (homo/hétérojonctions, diodes implantés/Schottky) réalisés sur des semiconducteurs III-V ou II-VI, il participera en relation étroite avec un doctorant à l'analyse et à l'interprétation des résultats. Par ses observations, il apportera de nouvelles informations sur le fonctionnement de ces dispositifs. Finalement, il proposera des voies d'améliorations aux équipes de process et de caractérisation composant.
Date limite de candidature :
11 Janvier 2019
Durée 3-4 mois sur la période Avril-Juillet 2019
Pour postuler, envoyer CV et lettre de motivation àScilab
Profil recherché
Profil du candidat
Rigueur, sens de l'observation, capacité à travailler en équipe et à rendre compte sont nécessaires pour réussir le stage