Ingénieur composant GaN H/F (Technologies micro et nano)

Description de l'offre

Domaine : Technologies micro et nano

Contrat : CDD

Description du poste :

Dans le cadre de ses activités dans le domaine de la fabrication de dispositifs à base de semi-conducteurs composés (II-VI, III-V et III-Nitrure), le laboratoire d’Intégration Technologique pour la Photonique (LITP) du Département Plateformes Technologiques (DPFT) du LETI doit développer et renforcer sa filière « composant de puissance sur GaN » dans le cadre du projet GaNEXT VERTIGAN en collaboration avec le laboratoire du CNRS-CHREA et la société LUMILOG, filiale de Saint Gobain.
Vous devrez en premier lieu définir le design et le process flow (comportant l’ensemble des étapes de fabrication) des composants de puissance GaN en collaboration avec les ingénieurs expérimentés de la thématique.
A l’issu de cette première étape, vous aurez à développer certaines briques élémentaires, améliorer les procédés critiques et valider l’intégration globale.
Vous devrez pour cela réaliser toutes les étapes de fabrication : photolithographie, dépôts de couches minces (diélectriques et métaux), gravures sèches et humides, recuits, CMP, ainsi que les caractérisations de premier niveau (MEB, profilométrie, ellipsométrie...).
Vous synthétiserez ses travaux et serez amené à les présenter à l’ensemble des partenaires du projet. Une attention particulière sera apportée au caractère innovant de ces développements et à la rédaction de brevets.


De formation ingénieur ou docteur en physique ou chimie des matériaux ou équivalent, vous aurez une première expérience ou des connaissances sur les procédés de la microélectronique ainsi que sur la physique des semi-conducteurs en particulier pour les composants de puissance sur matériau grand gap de type GaN.
Vous aurez aussi de préférence une première expérience en salle blanche, dans la fabrication de composants de type microélectronique.

Ville : Grenoble