Extraction et modélisation d'un gaz d'électron bi-dimensionnel pour composant de puissance H/F (Technologies micro et nano)

Description de l'offre

Domaine : Technologies micro et nano

Contrat : Stage

Description du poste :

Contexte :
La technologie nitrure de gallium ou GaN s’impose comme un des candidats les plus prometteurs pour les composants de puissance de par ses qualités électriques et technologiques, en permettant des solutions à haute densité de puissance et à haute efficacité.
Dans le cadre du développement d’un composant de puissance GaN 650V de 2eme génération, il est nécessaire de maximiser les propriétés de conduction du gaz d’électron bi-dimensionnel, créé par  l’hétérojonction GaN/AlGaN, élément clé du composant. Ce gaz d’électron se forme à l’interface d’une hétérostructure AlGaN/GaN réalisée par épitaxie de matériaux III-N sur Silicium et impacte la résistance globale et les performances électriques du transistor.
Travail demandé :
Dans le cadre de ce travail, le candidat devra corréler les paramètres clés électriques décrivant la physique du gaz d’électron bi-dimensionnel (2DEG) aux différentes architectures d’hétérostructures mises en œuvre. Pour ce faire, il s’agira de caractériser la conduction dans différents régimes (bas champ, saturation), à différentes températures (du cryogénique à plus de 200°C en passant par l’ambiante), avec différentes structures (Van der Pauw TLM ou structure de Hall) et en utilisant plusieurs méthodes de caractérisation (I-V statiques et pulsé, C-V, …). A la suite de ces mesures, il sera attendu la proposition d’un modèle physique simple permettant de relier les propriétés électroniques du gaz d’électron aux paramètres technologiques des hétérostructures.



Master M2, modélisation, physique de semiconducteur.

Ville : Grenoble