Etude de la variabilité des transistors MOSFET sur GaN en fonction des étapes technologiques H/F (Technologies micro et nano)

Description de l'offre

Domaine : Technologies micro et nano

Contrat : Stage

Description du poste :

Au sein du LETI localisé à Grenoble, plus de 1800 chercheurs créent de l'innovation et la transfèrent à l'industrie dans divers domaines d’applications (santé, télécommunications, objets communicants, transport et environnement …).
En réponse aux besoins sociétaux sur les énergies alternatives (photovoltaïque, véhicule électrique), le LETI a développé une forte activité sur les composants de puissance, élément clé de la conversion d'énergie électrique. Le LETI se focalise sur une technologie en rupture à base de Nitrure de Gallium (GaN). Cette technologie HEMT-GaN (HEMT= High Electron Mobility Transistors) est très prometteuse par rapport aux composants de puissance actuellement sur le marché, grâce à son excellente efficacité de conversion d'énergie (les pertes d’énergie sont largement diminuées) et sa potentialité de fonctionnement à haute température.
Depuis de nombreuses années, le laboratoire LC2E (Laboratoire de Composants Electriques pour l'Energie) travaille sur la mise au point de la filière de fabrication de la technologie 'MOS channel-HEMT GaN' (c'est à dire HEMT GaN avec une grille à base d'oyde) avec pour finalité un transfert vers un industriel français. Des études sur l'impact des différentes étapes technologiques de fabrication sur les performances et la fiabilité des composant sont en cours. Elles permettent de mieux comprendre les points clés et les points critiques de cette technologie. Le stage proposé s'intègre dans ce projet.
Avant d’envisager un transfert industriel de cette technologie, la répétabilité des résultats doit être assurée. Le stagiaire étudiera la variabilité des résultats électriques des transistors HEMT GaN au cours de leur fabrication. Il identifiera si cette variabilité est en lien avec certaines étapes technologique de fabrication de ces transistors.



Ingénieur Microélectronique (physique du composant et technologie de fabrication)

Ville : Grenoble

Langue / Niveau :

Anglais : Courant