L’intégration de certains matériaux dans des structures suspendues nécessite de maîtriser la répartition des contraintes générées lors des étapes de procédé. Nous avons donc développé une méthode de mesure locales consistant à cartographier en haute résolution l’ensemble d’une plaque avant et après une étape de dépôt. Des mesures de déplacements pour de fortes résolutions sont obtenus à l’aide d’un sensor confocal. Elle permettent de calculer des contraintes locales en appliquant un modèle mécanique via le logiciel MATLAB. Il est ainsi possible d’obtenir une cartographie 3D des contraintes engendrées par le dépôt du film. Nous avons appliqué cette technique avec succès sur des couches épitaxiées de SiGe très homogènes (références) et des matériaux piézoélectrique de type nitrure d’aluminium (AlN) utilisés dans des applications RF et MEMS.

Les bons résultats obtenus sur des monocouches et à température ambiante, nous encourage à prolonger cette étude suivant 2 perspectives :

1 - Etendre la technique dans le cas d’intégrations de plusieurs couches.

2 - Réaliser des mesures comparatives par profilométrie optique afin d’accéder aux comportements à hautes températures.

Vous serez formé et devrez maîtriser à la fois les techniques de mesures expérimentales utilisées pour caractériser les matériaux (microscopie confocale FRT et réflectométrie multipoints kSpace) et les outils d’analyse, de dépouillement et de calcul que nous utiliserons dans le cadre de cette étude. Vous travaillerez également en collaboration avec l’équipe responsable des dépôts afin de limiter la déformation mécanique des couches libérées. L’objectif est de réduire les contraintes localisées (< 50 MPa) et de les rendre le plus uniforme possible sur l’ensemble du wafer.

Pour postuler à cette offre, merci de contacter Mme MORIN à l'adresse suivante : class="Location">