Stagiaire
- MaintenantConception / Génie civil / Génie industriel Caractérisation des propriétés antireflets/passivantes du nitrure de silicium SiNx déposé par PECVD ( Plasma Enhaced Chemical Vapor Deposition ) à basse température
* Caractérisation ellipsomètrique.
* Spectrophotométrie.
*XRR.
*Décroissance de la photoconductance (µ-PCD)
*COCOS ( Corona Oxyde Caractezation of Semi conductors).
*Microscope optique.
*Microscope électronique à balayafe (MEB).
* Thermal Desorption Spectroscopy.